Установка лабораторная высокочастотного магнетронного напыления (УВМН)

Данная установка позволяет распылять мишени из полупроводниковых и диэлектрических материалов. Предназначена для нанесения тонких пленок, представляющих собой сложные соединения, образующиеся в процессе плазмохимических реакций. Включает в себя вакуумную камеру с системой откачки и газонапуска рабочего и реакционного газов, высокочастотный генератор, магнетрон, устройство согласования генератора с нагрузкой, систему перемещения обрабатываемых изделий относительно магнетрона. Предусмотрена возможность использования в ней ионного источника с замкнтым дрейфом электронов для очистки поверхности перед напылением. Основные технические характеристики установки высокочастотного магнетронного напыления (УВМН) Объем вакуумной камеры, м3 0,3 Продолжительность откачки, мин 20 Колебательная мощность генератора, кВт 4 Рабочая частота генератора, МГц 13,56