Южнокорейские учёные создали устройство: сокращение компонентов на 75 % и четырёхкратное ускорение обработки данных
08.06.2026
Учёные из Университета науки и технологий Пхохана создали транзистор, способный выполнять сразу несколько функций. Технология обещает радикально изменить мир электроники — сделать устройства компактнее, а обработку данных — в четыре раза быстрее.
Главная проблема современной полупроводниковой промышленности — стремление уместить всё больше функций в чипы всё меньшего размера. Чем сложнее задача, тем больше транзисторов и схем требуется. Это ведёт к усложнению конструкции и росту энергопотребления.
Ещё одна сложность возникает на этапе доработки уже готовых чипов. Чтобы не повредить их структуру, любые последующие операции (так называемый этап BEOL — back‐end‐of‐line) нужно проводить при температуре ниже 400 C.
Корейские исследователи нашли способ обойти эти ограничения. Они сосредоточились на двух материалах:
Ключевое преимущество нового устройства — особый способ регулирования силы тока. В обычных полупроводниках ток растёт вместе с напряжением. Новый транзистор ведёт себя иначе: в определённых диапазонах напряжения сила тока не растёт, а падает. Это явление называют отрицательной дифференциальной крутизной (Negative Differential Transconductance, NDT).
Учёным удалось добиться ещё более впечатляющего эффекта — двойной отрицательной дифференциальной крутизны (Double Negative Differential Transconductance, D‐NDT). В этом случае падение тока происходит дважды подряд в рамках одного устройства.
Что это даёт на практике? Один транзистор может заменить сразу несколько. Например, команда успешно создала четырёхполюсник, который преобразует один входной сигнал в четыре выходных. Раньше для такой задачи требовалось несколько транзисторов, теперь достаточно одного — экономия составляет 75 %.
Эксперименты подтвердили преимущества новой технологии:
По мнению учёных, технология откроет дорогу к созданию:
В чём суть открытия?
Главная проблема современной полупроводниковой промышленности — стремление уместить всё больше функций в чипы всё меньшего размера. Чем сложнее задача, тем больше транзисторов и схем требуется. Это ведёт к усложнению конструкции и росту энергопотребления.
Ещё одна сложность возникает на этапе доработки уже готовых чипов. Чтобы не повредить их структуру, любые последующие операции (так называемый этап BEOL — back‐end‐of‐line) нужно проводить при температуре ниже 400 C.
Корейские исследователи нашли способ обойти эти ограничения. Они сосредоточились на двух материалах:
- оксиде цинка (ZnO),
- теллуре (Te).
Необычное поведение — новые возможности
Ключевое преимущество нового устройства — особый способ регулирования силы тока. В обычных полупроводниках ток растёт вместе с напряжением. Новый транзистор ведёт себя иначе: в определённых диапазонах напряжения сила тока не растёт, а падает. Это явление называют отрицательной дифференциальной крутизной (Negative Differential Transconductance, NDT).
Учёным удалось добиться ещё более впечатляющего эффекта — двойной отрицательной дифференциальной крутизны (Double Negative Differential Transconductance, D‐NDT). В этом случае падение тока происходит дважды подряд в рамках одного устройства.
Что это даёт на практике? Один транзистор может заменить сразу несколько. Например, команда успешно создала четырёхполюсник, который преобразует один входной сигнал в четыре выходных. Раньше для такой задачи требовалось несколько транзисторов, теперь достаточно одного — экономия составляет 75 %.
Реальные результаты
Эксперименты подтвердили преимущества новой технологии:
- скорость обработки данных выросла в четыре раза за один цикл входного сигнала;
- сложность схем существенно снизилась;
- появилась возможность создавать более компактные устройства.
По мнению учёных, технология откроет дорогу к созданию:
- сверхкомпактных устройств с искусственным интеллектом;
- трёхмерных интегрированных полупроводниковых систем высокой плотности;
- многофункциональных интегральных схем нового поколения.
