В Китае создают ионные имплантеры — шаг к независимости от иностранных поставщиков микросхем
19.01.2026
Китай совершил крупный рывок в развитии полупроводниковых технологий, создав уникальный инструмент, способный устранять слабые звенья в производственных цепях микрочипов. Научные сотрудники Института атомной энергетики КНР объявили недавно о запуске первой национальной установки ионного легирования высокого энергетического уровня мощностью POWER-750H, характеристики которой соответствуют мировым аналогам. Данные устройства являются ключевыми элементами производственного процесса полупроводников, внедряющими необходимое количество веществ посредством ускорения заряженных частиц в кремниевую подложку.
Специалисты подчеркнули важность овладения подобной технологией для автономного выпуска современной продукции микроэлектроники и уменьшения внешней зависимости от зарубежных производителей.
Самостоятельное создание мощных установок для ионного внедрения на основе ядерных исследований Согласно Институту атомной науки, Китай долгое время испытывал острую потребность в импорте специализированных аппаратов для высокоэнергетического ионного осаждения водорода, при этом внешние ограничения и контроль рынка негативно влияли на темпы роста внутреннего сектора.
Благодаря накопленному опыту в области физических процессов и техники ускорителей ученые смогли разработать собственные методики построения установок с использованием тандемных механизмов, обеспечив полный цикл разработок, начиная от теоретических основ и заканчивая созданием готовых изделий. Благодаря этому достижению Китай способен самостоятельно выпускать мощные тандемные устройства для высокоскоростного легирования ионами водорода, сокращая таким образом объем закупок зарубежного оборудования, говорится в публикации издания South China Morning Post.
Эксперты считают, что этот важный этап знаменует собой значительное укрепление базы промышленного производства полупроводникового оборудования в Китае. Параллельно китайская сторона приобрела самостоятельность в выпуске важнейшего компонента для изготовления чипов, повысив независимость своей отрасли от внешних технологических решений.
Ионная имплантация стала важной частью стратегии Китая в секторе электроники, являясь одной из ключевых составляющих среди четырех важнейших направлений производства полупроводников. Тем не менее достижение успеха в разработке подобного инструмента связано с преодолением серьезных инженерных трудностей.
Какие проблемы пришлось преодолеть при внедрении инновационных ионных установок?
Современных микросхем требует абсолютной точности и надежности всех этапов производства, включая операции ионного напыления, где требуется управление параметрами вплоть до субатомарного масштаба. Без точного соблюдения условий невозможно добиться нужного качества продукции, необходимого для конкурентоспособного полупроводника, позволяющего минимизировать использование иностранной аппаратуры и повышать собственную производственную базу.
Во время процедуры имплантации частицы ионов влияют на электрохимические свойства отдельных зон поверхности кремния, глубоко проникнув внутрь пластин. Высокие энергозатраты позволяют формировать внутренние слои структурированных элементов, таких как полевые транзисторы и фоточувствительные сенсоры. Любые отклонения от заданных стандартов приводят к снижению характеристик изделия, следовательно, необходим стабильный рабочий режим приборов на протяжении всего периода эксплуатации.
Хотя ионные имплантеры применяются не повсеместно, их применение обязательно для определенных типов компонентов, таких как низковольтные процессорные ядра и сверхчувствительные датчики изображений, где требования к качеству особенно высокие.
Специалисты подчеркнули важность овладения подобной технологией для автономного выпуска современной продукции микроэлектроники и уменьшения внешней зависимости от зарубежных производителей.
Самостоятельное создание мощных установок для ионного внедрения на основе ядерных исследований Согласно Институту атомной науки, Китай долгое время испытывал острую потребность в импорте специализированных аппаратов для высокоэнергетического ионного осаждения водорода, при этом внешние ограничения и контроль рынка негативно влияли на темпы роста внутреннего сектора.
Благодаря накопленному опыту в области физических процессов и техники ускорителей ученые смогли разработать собственные методики построения установок с использованием тандемных механизмов, обеспечив полный цикл разработок, начиная от теоретических основ и заканчивая созданием готовых изделий. Благодаря этому достижению Китай способен самостоятельно выпускать мощные тандемные устройства для высокоскоростного легирования ионами водорода, сокращая таким образом объем закупок зарубежного оборудования, говорится в публикации издания South China Morning Post.
Эксперты считают, что этот важный этап знаменует собой значительное укрепление базы промышленного производства полупроводникового оборудования в Китае. Параллельно китайская сторона приобрела самостоятельность в выпуске важнейшего компонента для изготовления чипов, повысив независимость своей отрасли от внешних технологических решений.
Ионная имплантация стала важной частью стратегии Китая в секторе электроники, являясь одной из ключевых составляющих среди четырех важнейших направлений производства полупроводников. Тем не менее достижение успеха в разработке подобного инструмента связано с преодолением серьезных инженерных трудностей.
Какие проблемы пришлось преодолеть при внедрении инновационных ионных установок?
Современных микросхем требует абсолютной точности и надежности всех этапов производства, включая операции ионного напыления, где требуется управление параметрами вплоть до субатомарного масштаба. Без точного соблюдения условий невозможно добиться нужного качества продукции, необходимого для конкурентоспособного полупроводника, позволяющего минимизировать использование иностранной аппаратуры и повышать собственную производственную базу.
Во время процедуры имплантации частицы ионов влияют на электрохимические свойства отдельных зон поверхности кремния, глубоко проникнув внутрь пластин. Высокие энергозатраты позволяют формировать внутренние слои структурированных элементов, таких как полевые транзисторы и фоточувствительные сенсоры. Любые отклонения от заданных стандартов приводят к снижению характеристик изделия, следовательно, необходим стабильный рабочий режим приборов на протяжении всего периода эксплуатации.
Хотя ионные имплантеры применяются не повсеместно, их применение обязательно для определенных типов компонентов, таких как низковольтные процессорные ядра и сверхчувствительные датчики изображений, где требования к качеству особенно высокие.