"НАЗНАЧЕНИЕ: Травление тонких диэлектрических (SiO2, Si3N4) и металлических слоев (Мо, Cr и др.), а также полупроводниковых материалов (GaAs, Si и др.) методом плазмохимического реактивно-ионного травления. ОСОБЕННОСТИ: Индивидуальная обработка подложек до ?150 мм (100?100 мм); Откачка реактора до предельного разряжения 0.5 Па; Поддержание стабильности ВЧ разряда в диапазоне рабочих давлений 2-30 Па; Изменение ВЧ смещения на ВЧ электроде - подложкодержателе в диапазоне от 0 до 1000 В; Регулирование и автоматическое поддержание уровня ВЧ мощности в диапазоне 30-200 Вт; Водяное охлаждение подложкодержателя; Автоматизированное управление от персонального компьютера; Мощность потребления не более 3 кВт; Площадь, занимаемая одной установкой ~1,5 м2. СИСТЕМЫ УСТАНОВКИ: Рабочая камера; Охлаждаемый электрод-подложкодержатель; ВЧ генератор 13,56 Мгц, 300 Вт; Устройство согласования генератора с нагрузкой; Вакуумная система на базе форвакуумного насоса; Газовая система - включает регуляторы расхода газа РРГ-10, ручные запорные краны, регуляторы давления, манометры, электромагнитные клапаны; Система водяного охлаждения; Микропроцессорная система управления."