"НАЗНАЧЕНИЕ: Нанесение плёнок металлов (Cu, Cr, Al, др.) и диэлектриков (SiO2 ,Si3N4, др.) методом магнетронного распыления. ОСОБЕННОСТИ Последовательная обработка подложек в одном технологическом цикле: 60?48 мм — 6 шт. — двухсторонняя обработка. 30?48 мм — 12 шт. — двухсторонняя обработка. Откачка реактора до предельного разряжения 5 10-4Па Распыление дисковой мишени в плазме магнетронного разряда. Подготовка поверхности подложек - нагрев и ионная очистка. Автоматизированное управление от микропроцессора. Малогабаритная безмасляная вакуумная система откачки. Автономная система водяного охлаждения. Потребляемая мощность не более 5,5 кВт. Площадь, занимаемая одной установкой ~1,5 м2. СИСТЕМЫ УСТАНОВКИ: Рабочая камера; Планетарный подложкодержатель; Вращающийся экран - цилиндрическая заслонка; Магнетронное распылительное устройство (магнетрон), в том числе распыляемая мишень; Источник питания магнетрона; Система нагрева и ионной очистки; Вакуумная система на базе турбомолекулярного и форвакуумного насосов, в том числе дроссельная заслонка, клапан; Газовая система - включает электронный регулятор расхода газа, ручной запорный кран, регулятор давления, манометр, электромагнитный клапан; Система водяного охлаждения; Микропроцессорная система управления."