Предназначен для измерения толщин пленок и слоев в тонкопленочных структурах, исследования структуры материалов и наноструктур, анализа состояния поверхности и структуры тонких поверхностных слоев методами эллипсометрии. Исследует в обычной атмосфере, при различных температурах и давлениях, в различных средах, включая агрессивные. Обеспечивает: бесконтактность, неразрушающий характер, оперативность измерения. Может работать в режиме спектрального фотометра. Применение: для исследования и технологического контроля процессов производства наноразмерных материалов и структур, электронных компонентов и др.